奥戸 雄二（おくとゆうじ）

所　　属：元・生体高次情報系・教授

生　　年：1939 年生まれ

研究テーマ（ 業績一覧はこちら ）：

• 半導体デバイス物理と新構造デバイスの提案と評価
• 新規 CMOSLSI の設計と試作・性能評価（ FPGA 並びに VDECPj を利用 ）

略　　歴：

1963年3月	大阪大学理学部物理学科・卒業
1963年4月	日本電気（株）入社・基礎研究所勤務 極低温における半導体の高電界効果の研究、 マイクロ波半導体素子、 Impatt　Diodeの開発に従事
1969年9月	University of Southern California, USA, School of Engineering, Dept. of Materials Sciences, Research Assistant
1971年1月	University of Southern California, USA, School of Engineering, Dept. of Materials Sciences, 修士課程修了
1974年1月	University of Southern California, USA, School of Engineering, Dept. of Materials Sciences, 博士課程修了・PhD取得 半導体内での高電界効果、特にイオン化散乱の非局在性を取り入れた Okuto-Crowellの理論を提案、実験との整合性を確認
1974年1月	日本電気（株）中央研究所勤務 GaAs Impatt Diode の開発に従事 以来、集積回路技術の研究開発に従事、電子線露光技術、 微細デバイス物理、 プロセス・デバイスのシミュレーション 技術などに従事 その間、研究所長、技師長などを歴任し、超LSI技術開発の指導
1997年4月	名古屋市立大学自然科学研究教育センター教授
2000年4月	名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科教授 半導体デバイス物理並びに新規デバイスLSI化の研究
2005年4月	名古屋市立大学名誉教授

学　　位：Ph.D.

所属学会：

• 応用物理学会
• 電子情報通信学会
• IEEE

研究室に所属した学生

大学院授業の講義録

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